Фатима Асланбековна Бутаева родилась в семье осетинского журналиста Асланбека Саввича Бутаева. С юности проявила выдающиеся способности к естественным наукам. Начиная с 1934 года в течение долгих лет работала во Всесоюзном электротехническом институте, руководя лабораторией источников света.
Фатиму Асланбековну не миновала тяжелая участь сталинских репрессий. В 1937 году ее отца и дядю, партийного деятеля Казбека Саввича Бутаева, арестовали и отправили в ссылку. Фатиму не уволили с работы только благодаря покровительству ее научных руководителей, которые высоко ценили талант и трудолюбие сотрудницы. В 1956 году родные Бутаевой были реабилитированы.
Ф.А. Бутаева посвятила себя изучению явления люминисценции. Темой ее кандидатской диссертации послужили исследования в области газового разряда. Среди изобретений Фатимы Асланбековны – газоразрядная лампа низкого давления, люминесцентная лампа низкого давления.
Практическим результатом научный трудов Бутаевой стало начало выпуска в СССР люминесцентных ламп. В 1951 году за изобретение люминесцентных ламп Ф.А. Бутаева совместно с коллегами была удостоена звания лауреата Сталинской премии второй степени.
Впоследствии Бутаева занималась усовершенствованием ламп дневного света.
В 1951 году Ф.А. Бутаева совместно с В.А. Фабрикантом и М.М. Вудынским оформила заявку на открытие и изобретение способа усиления электромагнитного излучения. Явление усиления электромагнитных волн (когерентное излучение), которое открыли ученые, применяется в лазерах.
Бутаева способствовала открытию первого предприятия по выпуску люминесцентных ламп — Завода ламп дневного света (ЗЛДС), ныне — Опытного завода ВНИСИ.
Image by rawpixel.com on Freepik
Поделиться в сетях:
Комментарии отключены.